RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2660
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link