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AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

総合得点
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5S38G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 -37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 3711

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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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メモリRAM
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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