RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 39
    周辺 28% 低遅延
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1433 left arrow 3402

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB RAMの比較

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
メモリRAM