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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

総合得点
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 10.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1433 left arrow 1479

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