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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1433
1479
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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