ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Note globale
star star star star star
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Autour de 7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.3 left arrow 10.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 8500
    Autour de 1.25% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.3 left arrow 10.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1433 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons