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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
11.3
10.6
写入速度,GB/s
8.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1433
1479
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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