RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
比較する
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
総合得点
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
21.4
18.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.2
15.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 -11% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
28
読み出し速度、GB/s
21.4
18.8
書き込み速度、GB/秒
16.2
15.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3809
3637
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link