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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
総合得点
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,034.7
11.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
48
周辺 -85% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
26
読み出し速度、GB/s
4,295.1
15.6
書き込み速度、GB/秒
2,034.7
11.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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