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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
総合得点
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
28
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
15.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
23
28
読み出し速度、GB/s
15.2
17.4
書き込み速度、GB/秒
9.8
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3419
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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