Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Punteggio complessivo
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 28
    Intorno 18% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.4 left arrow 15.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.5 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 12800
    Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    23 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.2 left arrow 17.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.8 left arrow 14.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2454 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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