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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
総合得点
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
総合得点
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
30
周辺 33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
6.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
20
30
読み出し速度、GB/s
19.1
11.7
書き込み速度、GB/秒
13.1
6.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3252
1832
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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