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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

総合得点
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 34
    周辺 -79% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2782 left arrow 3220

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メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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