RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
34
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
3220
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link