Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

総合得点

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

考慮すべき理由
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 34

周辺 18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.5 11.1

テスト平均値

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

9.5 9.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 34
読み出し速度、GB/s

13.5 11.1
書き込み速度、GB/秒

9.3 9.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2278 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

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