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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
総合得点
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
総合得点
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
41
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
29
読み出し速度、GB/s
13.9
18.8
書き込み速度、GB/秒
8.5
15.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2385
3734
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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