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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

総合得点
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.3 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 20.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 17.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 9905701-131.A00G 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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