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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 19
    周辺 11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 19.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 15.0
    テスト平均値
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    17 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    22.8 left arrow 19.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.4 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3391 left arrow 3370

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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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