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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
19
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
19
读取速度,GB/s
22.8
19.8
写入速度,GB/s
15.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3370
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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