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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
63
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
63
读取速度,GB/s
10.4
10.0
写入速度,GB/s
7.8
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2162
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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