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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 28
    周辺 39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 17.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 15.3
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    17 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    22.8 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.4 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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