RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
28
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3480
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link