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Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 39
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 15.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    15.1 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2576 left arrow 3033

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Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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