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Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
15.1
16.4
写入速度,GB/s
9.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2576
3033
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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