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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
34
読み出し速度、GB/s
11.4
17.3
書き込み速度、GB/秒
7.4
14.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
3606
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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