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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
37
周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
35
読み出し速度、GB/s
11.4
15.3
書き込み速度、GB/秒
7.4
10.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
2559
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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