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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
11.4
15.3
写入速度,GB/s
7.4
10.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2559
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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