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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
比較する
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
46
周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
9.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
46
読み出し速度、GB/s
16.9
15.9
書き込み速度、GB/秒
12.0
9.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2601
2632
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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Kingston 9905624-022.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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