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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比較する
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
33
周辺 12% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
16.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
33
読み出し速度、GB/s
16.9
17.6
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.0
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2601
2910
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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