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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2910
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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