RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比較する
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
34
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
11.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
34
読み出し速度、GB/s
15.5
15.8
書き込み速度、GB/秒
11.0
12.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2445
2830
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link