RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2830
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link