RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
比較する
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
42
周辺 -83% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
9.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
23
読み出し速度、GB/s
13.2
15.3
書き込み速度、GB/秒
9.4
9.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2326
2619
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAMの比較
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link