Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

総合得点

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

総合得点

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 19.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,027.0 15.5

テスト平均値

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 52

周辺 -108% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 25
読み出し速度、GB/s

4,837.1 19.8
書き込み速度、GB/秒

2,027.0 15.5
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

794 3875

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

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Kingston KHX2666C15/8G 8GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB

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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

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