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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
52
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
25
读取速度,GB/s
4,837.1
19.8
写入速度,GB/s
2,027.0
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3875
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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