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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
19.2
写入速度,GB/s
7.5
15.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3584
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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