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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3584
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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