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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
97
左右 74% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
97
读取速度,GB/s
14.2
15.2
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
1632
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAM的比较
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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