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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.1
13.2
写入速度,GB/s
8.6
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
1983
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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