Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

総合得点

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 27

周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18 13.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.9 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 26
読み出し速度、GB/s

13.9 18.0
書き込み速度、GB/秒

8.4 13.9
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2251 3417

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

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