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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
52
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17500
12800
周辺 1.37 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
52
読み出し速度、GB/s
14.9
10.2
書き込み速度、GB/秒
9.5
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17500
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
2319
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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