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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
比較する
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
総合得点
Maxsun MSD48G30M3 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
33
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
Maxsun MSD48G30M3 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
33
読み出し速度、GB/s
13.9
14.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2251
3105
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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