RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
35
周辺 31% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
16
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
35
読み出し速度、GB/s
16.0
16.2
書き込み速度、GB/秒
12.5
12.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3242
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G9O.9LC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link