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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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仕様
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
25
読み出し速度、GB/s
13.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2251
1870
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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