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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.7
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
24
読み出し速度、GB/s
12.1
19.7
書き込み速度、GB/秒
8.6
15.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2045
3950
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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