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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
71
周辺 65% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
6.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
12.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
71
読み出し速度、GB/s
12.1
15.6
書き込み速度、GB/秒
8.6
6.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2045
1650
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Frequency (Mhz) *
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