RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1650
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link