Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 71
    Wokół strony 65% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.1 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2045 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania