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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 65
    周辺 -81% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 3169

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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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