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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
65
周辺 -160% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.7
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
25
読み出し速度、GB/s
6.1
20.0
書き込み速度、GB/秒
4.2
17.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
3942
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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