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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

総合得点
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

総合得点
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB 考慮すべき理由
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 41
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.7 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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