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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
41
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
33
読み出し速度、GB/s
12.7
18.5
書き込み速度、GB/秒
10.7
13.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2621
3341
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAMの比較
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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